Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Package Type
TO-3PL
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
PNP Power Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
€ 373,00
€ 3,73 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 462,52
€ 4,625 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 373,00
€ 3,73 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 462,52
€ 4,625 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
-15 A
Maximum Collector Emitter Voltage
-230 V
Package Type
TO-3PL
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum DC Current Gain
55
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
-230 V
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Maximum Operating Frequency
30 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
20.5 x 5.2 x 26mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος