Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
7mm
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Japan
€ 13,30
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,49
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
€ 13,30
€ 1,33 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,49
€ 1,649 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
Standard
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,33 | € 13,30 |
50 - 90 | € 1,23 | € 12,30 |
100 - 990 | € 0,97 | € 9,70 |
1000+ | € 0,60 | € 6,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
130 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
27 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
7mm
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
2.3mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Χώρα Προέλευσης
Japan