Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 7,67
€ 7,67 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,51
€ 9,51 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 7,67
€ 7,67 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,51
€ 9,51 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 7,67 |
10 - 49 | € 6,45 |
50 - 99 | € 5,95 |
100 - 199 | € 5,90 |
200+ | € 5,85 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
39 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
TK
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Maximum Power Dissipation
270 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Length
15.94mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
5.02mm
Transistor Material
Si
Height
20.95mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος