Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SC-70-6L
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Height
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
€ 930,00
€ 0,31 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.153,20
€ 0,384 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 930,00
€ 0,31 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.153,20
€ 0,384 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SC-70-6L
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
13.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Height
1mm
Automotive Standard
AEC-Q101
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China