Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
4.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 0,76
€ 0,76 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,94
€ 0,94 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 0,76
€ 0,76 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,94
€ 0,94 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Width
4.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος