Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 47,00
€ 0,47 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 58,28
€ 0,583 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
€ 47,00
€ 0,47 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 58,28
€ 0,583 Μονάδας (Σε μία ράγα των 100) Με Φ.Π.Α
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
100 - 100 | € 0,47 | € 47,00 |
200 - 400 | € 0,47 | € 47,00 |
500+ | € 0,42 | € 42,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
HVMDIP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
540 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.29mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
3.37mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Philippines
Λεπτομέρειες Προϊόντος