Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 4,15
€ 4,15 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,15
€ 5,15 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 4,15
€ 4,15 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5,15
€ 5,15 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 4,15 |
10 - 49 | € 3,58 |
50 - 99 | € 3,42 |
100 - 249 | € 3,18 |
250+ | € 2,77 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.5 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
60 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος