Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 112,00
€ 2,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 138,88
€ 2,778 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 112,00
€ 2,24 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 138,88
€ 2,778 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος