Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 90,80
€ 9,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 112,59
€ 11,26 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
10
€ 90,80
€ 9,08 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 112,59
€ 11,26 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία σακούλα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Σακούλα)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
10 - 24 | € 9,08 |
25 - 49 | € 8,59 |
50 - 99 | € 8,17 |
100+ | € 7,18 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
200 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
280 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος