Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
2.5 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
25 V
Maximum Emitter Base Voltage
2.5 V
Maximum Operating Frequency
2.5 GHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος