Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS™-T
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Width
10.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.4mm
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 7,46
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,25
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
€ 7,46
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 9,25
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
10 - 20 | € 7,46 | € 37,30 |
25 - 45 | € 7,11 | € 35,55 |
50 - 120 | € 6,68 | € 33,40 |
125+ | € 6,33 | € 31,65 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Series
OptiMOS™-T
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
67 nC @ 10 V
Width
10.25mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.4mm