Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
IRF3710ZS
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,04
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,53
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 2,04
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 2,53
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 40 | € 2,04 | € 20,40 |
50 - 90 | € 1,71 | € 17,10 |
100 - 240 | € 1,64 | € 16,40 |
250 - 490 | € 1,56 | € 15,60 |
500+ | € 1,44 | € 14,40 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
59 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
IRF3710ZS
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
18 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
160 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Width
9.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
82 nC @ 10 V
Height
4.83mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.3V