Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,66
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,818
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
4000
€ 0,66
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,818
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 4000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
4000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.7V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si