E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 753-3188Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: SPD08P06PGBTMA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Series

SIPMOS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
€ 0,905Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
€ 0,905Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

42 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

10 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

6.73mm

Width

6.22mm

Series

SIPMOS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
P-Channel MOSFET, 8.8 A, 60 V, 3-Pin DPAK Infineon SPD08P06PGBTMA1
€ 0,905Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α