Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
CP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
54 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
CP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
54 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
1.5mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.43 nC @ 10 V
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος