Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.92mm
Height
0.93mm
Width
1.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
P.O.A.
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Idss Drain-Source Cut-off Current
-4 → -16mA
Maximum Drain Source Voltage
15 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
SOT-23
Pin Count
3
Dimensions
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.92mm
Height
0.93mm
Width
1.3mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.