Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Length
10.53mm
Height
15.75mm
Width
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,41
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,748
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 1,41
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,748
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
10 A dc
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V dc
Maximum Emitter Base Voltage
5 V dc
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Length
10.53mm
Height
15.75mm
Width
4.83mm
Maximum Power Dissipation
65 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Dimensions
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China