Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.1 nC @ 10 V, 4.8 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,48
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,595
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 0,48
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,595
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
Standard
25
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ταινία |
---|---|---|
25 - 25 | € 0,48 | € 12,00 |
50 - 100 | € 0,33 | € 8,25 |
125 - 225 | € 0,23 | € 5,75 |
250+ | € 0,20 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.1 nC @ 10 V, 4.8 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος