SiC N-Channel MOSFET Module, 20 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA20N120
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.189 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 21,73
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,945
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 21,73
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 26,945
Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Package Type
Hip247
Series
SCT
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.189 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1