N-Channel MOSFET, 3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Taiwan Semi TSM2308CX RFG
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
192 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.99 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,40
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,496
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 0,40
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,496
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
50 - 200 | € 0,40 | € 20,00 |
250 - 450 | € 0,40 | € 20,00 |
500 - 950 | € 0,38 | € 19,00 |
1000+ | € 0,38 | € 19,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
192 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.99 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C