Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
VSON-CLIP
Series
NexFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,56
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
€ 1,56
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,934
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Package Type
VSON-CLIP
Series
NexFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Width
5.1mm
Transistor Material
Si
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος