Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,52
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,125
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 2,52
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,125
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
207 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
255 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος