Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,53
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,657
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5000
€ 0,53
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,657
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 5000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
5000
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
5000 - 5000 | € 0,53 | € 2.650,00 |
10000+ | € 0,48 | € 2.400,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
15 nC @ 10 V
Width
3.1mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
0.85mm