Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
380 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-523 (SC-89)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
520 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 5,00
€ 0,05 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,20
€ 0,062 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
€ 5,00
€ 0,05 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,20
€ 0,062 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
380 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-523 (SC-89)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
520 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


