Taiwan Semi N-Channel MOSFET, 2.8 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
3.69 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος