Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 12,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,88
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
20
€ 12,00
€ 0,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 14,88
€ 0,744 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 20) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
20 - 40 | € 0,60 | € 12,00 |
60+ | € 0,55 | € 11,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
35 W @ 25 °C
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
-1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος