Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexMounting Type
Surface Mount
Package Type
SOD-123
Maximum Continuous Forward Current
200mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Diode
Diode Type
Schottky
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
650mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky
Peak Reverse Recovery Time
5ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
4A
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ταινία |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,10 | € 10,00 |
600 - 1400 | € 0,10 | € 10,00 |
1500+ | € 0,08 | € 8,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexMounting Type
Surface Mount
Package Type
SOD-123
Maximum Continuous Forward Current
200mA
Peak Reverse Repetitive Voltage
30V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Diode
Diode Type
Schottky
Pin Count
2
Maximum Forward Voltage Drop
650mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky
Peak Reverse Recovery Time
5ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
4A
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.