Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
7 A, 8.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ, 53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 55,00
€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 68,20
€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
125
€ 55,00
€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 68,20
€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
125
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
125 - 600 | € 0,44 | € 11,00 |
625 - 1225 | € 0,37 | € 9,25 |
1250+ | € 0,31 | € 7,75 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
7 A, 8.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ, 53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος