Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13

Κωδικός Προϊόντος της RS: 751-4067PΚατασκευαστής: DiodesZetexΚωδικός Κατασκευαστή: DMC3021LSD-13
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

7 A, 8.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ, 53 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 55,00

€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 68,20

€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 55,00

€ 0,44 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 68,20

€ 0,546 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
125 - 600€ 0,44€ 11,00
625 - 1225€ 0,37€ 9,25
1250+€ 0,31€ 7,75

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

7 A, 8.5 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ, 53 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more