Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13

Κωδικός Προϊόντος της RS: 921-1029PΚατασκευαστής: DiodesZetexΚωδικός Κατασκευαστή: DMC3026LSD-13
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

8.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 11,00

€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 13,64

€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 11,00

€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 13,64

€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

8.2 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.6 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.95mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Length

4.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

13.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more