Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
8.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 11,00
€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,64
€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
€ 11,00
€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 13,64
€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
20
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
8.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Λεπτομέρειες Προϊόντος