Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 280 mA, 620 mA, 60 V, 6-Pin SOT-563 DMG1029SV-7

Κωδικός Προϊόντος της RS: 822-2523PΚατασκευαστής: DiodesZetexΚωδικός Κατασκευαστή: DMG1029SV-7
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

280 mA, 620 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.7 Ω, 6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

2

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.28 nC @ 4.5 V, 0.3 nC @ 4.5 V

Height

0.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 14,50

€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 17,98

€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 280 mA, 620 mA, 60 V, 6-Pin SOT-563 DMG1029SV-7
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 14,50

€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 17,98

€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 280 mA, 620 mA, 60 V, 6-Pin SOT-563 DMG1029SV-7
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

280 mA, 620 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.7 Ω, 6 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

1.25mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

2

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.28 nC @ 4.5 V, 0.3 nC @ 4.5 V

Height

0.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more