Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 9,00
€ 0,18 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,16
€ 0,223 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 9,00
€ 0,18 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,16
€ 0,223 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products