Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-26
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
650 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
3.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.3mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-26
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
215 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
650 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
3.1mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.3mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


