Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,05 | € 150,00 |
9000 - 12000 | € 0,05 | € 150,00 |
15000+ | € 0,05 | € 150,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
900 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
0.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.3 nC @ 10 V
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China