Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X1-DFN1212
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Height
0.48mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,05
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,062
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
900 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X1-DFN1212
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.45V
Maximum Power Dissipation
890 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.25mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
1.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.7 nC @ 4.5 V
Height
0.48mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China