Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.55mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 66,00
€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 81,84
€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
120
€ 66,00
€ 0,55 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 81,84
€ 0,682 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
120
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
120 - 600 | € 0,55 | € 11,00 |
620 - 1240 | € 0,50 | € 10,00 |
1260+ | € 0,42 | € 8,40 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15.4 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.55mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος