Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Length
1.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Length
1.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.65mm
Transistor Material
Si
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


