Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


