Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
50
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


