Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Series
DMN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 2,67
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,311
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
€ 2,67
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,311
Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
50
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,67 | € 133,50 |
100+ | € 2,55 | € 127,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
TO-220AB
Series
DMN
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
9.01mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
48 nC @ 10 V
Length
10.66mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.82mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Automotive Standard
AEC-Q101
Λεπτομέρειες Προϊόντος