Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 116,00
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 143,84
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
400
€ 116,00
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 143,84
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
400
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,29 | € 7,25 |
| 1000+ | € 0,23 | € 5,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products