Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,23
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,285
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
€ 0,23
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,285
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
2500
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
52 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 8V
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Χώρα Προέλευσης
China