Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
920 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Length
1.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.675mm
Transistor Material
Si
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
760 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
920 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Length
1.08mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.5 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
0.675mm
Transistor Material
Si
Height
0.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


