Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexMounting Type
Surface Mount
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Continuous Forward Current
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage
65V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Rectifier
Diode Type
Schottky
Pin Count
3 + Tab
Maximum Forward Voltage Drop
630mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
140A
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 1,06
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,314
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
€ 1,06
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1,314
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
10
Αγοράστε μαζικά
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 40 | € 1,06 | € 10,60 |
50 - 240 | € 0,83 | € 8,30 |
250 - 490 | € 0,66 | € 6,60 |
500 - 990 | € 0,60 | € 6,00 |
1000+ | € 0,55 | € 5,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexMounting Type
Surface Mount
Package Type
DPAK (TO-252)
Maximum Continuous Forward Current
20A
Peak Reverse Repetitive Voltage
65V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Schottky Rectifier
Diode Type
Schottky
Pin Count
3 + Tab
Maximum Forward Voltage Drop
630mV
Number of Elements per Chip
1
Diode Technology
Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
140A
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.