Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,33
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,409
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
€ 0,33
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,409
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) Με Φ.Π.Α
Standard
25
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος