Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.55mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.55mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.55mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.65mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος


