Dual N-Channel MOSFET Transistor, 6.3 A, 8.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Fairchild FDS6982

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.3 A, 8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ, 28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 5 V, 8.5 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
5
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.3 A, 8.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ, 28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
2 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 5 V, 8.5 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm

