Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
162 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
HEXFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.004 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si
€ 4.096,00
€ 5,12 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.079,04
€ 6,349 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 800) Με Φ.Π.Α
800
€ 4.096,00
€ 5,12 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 800) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.079,04
€ 6,349 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 800) Με Φ.Π.Α
800
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
162 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
HEXFET
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.004 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
Si