Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum DC Current Gain
70
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Resistor Ratio
0.47
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Typical Input Resistor
22 kΩ
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Voltage
50 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Minimum DC Current Gain
70
Transistor Configuration
Single
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Resistor Ratio
0.47
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Typical Input Resistor
22 kΩ