Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Length
2.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
€ 240,00
€ 0,08 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 297,60
€ 0,099 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 240,00
€ 0,08 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 297,60
€ 0,099 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Length
2.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος


