Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
€ 0,08
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,099
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
€ 0,08
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 0,099
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Including VAT) Με Φ.Π.Α
3000
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος