Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
175 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Maximum Emitter Base Voltage
2 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος


